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MICRON DDR5 SDRAM

發布時間：2020-12-24 16:57:28 瀏覽：1390

CPU核心的數量正在增加。為了實現數據中心的持續計算性能改進，需要使用MICRON DDR5的性能優勢來維護每個CPU內核的可用帶寬。MICRON DDR5及其額外的計算將有助于從當今世界產生的爆炸性數據中提取價值和洞察力。

MICRON DDR5 技術支持計劃(TEP)是一項項目，它提供獲取美光技術的途徑，并提供早期獲取技術信息和支持、電力和散熱模型以及MICRON DDR5產品的機會，以幫助設計、開發和推出下一代產品。它還代表計算平臺，還匯集了其他生態系統合作伙伴，幫助MICRON DDR5在市場上隨處推廣和采用。

DDR5 是DRAM開發的下一步，它帶來了一系列新的功能，旨在提高(RAS)的可靠性、可用性和可使用性。降低功耗，并大大提高性能。

DDR5 SDRAM.png

DDR5的一些關鍵功能如下：

功能/選項	DDR5	DDR5的優勢
資料速率	3200-6400 MT /秒	提高性能和帶寬
V DD / V DDQ / V PP	1.1 / 1.1 / 1.8	降低功率
內部V REF	V REFDQ，V REFCA，V REFCS	提高電壓裕度，降低BOM成本
設備密度	8Gb至64Gb	支持更大的單片器件
預取	16n	使內部內核時鐘保持低電平
DQ接收器均衡	DFE	改善 DRAM內部接收到的DQ數據眼的張開
占空比調整（DCA）	DQS和DQ	改善發送的DQ / DQS引腳上的信令
內部DQS延遲監控	DQS間隔振蕩器	增強抵抗環境變化的能力
片上ECC	128b + 8b SEC，錯誤檢查和清理	增強片上RAS
CRC	讀/寫	通過保護讀取的數據來增強系統RAS
銀行組（BG）/銀行	8 BG x 2個存儲區（8Gb x4 / x8） 4 BG x 2個存儲區（8Gb x16） 8 BG x 4個存儲區（16-64Gb x4 / x8） 4 BG x 4個存儲區（16-64Gb x16）	提高帶寬/性能
命令/地址界面	CA <13：0>	大大減少了CA引腳數
ODT	DQ，DQS，DM，CA總線	改善信號完整性，降低BOM成本
突發長度	BL16，BL32 （和BC8 OTF，BL32 OTF）	僅通過1個DIMM子通道允許64B高速緩存行讀取。
MIR（“鏡像”引腳）	是	改善DIMM信號
總線倒置	命令/地址反轉（CAI）	降低模塊上的V DDQ噪聲
CA培訓，CS培訓	CA培訓，CS培訓	改善CA和CS引腳上的時序裕度
編寫水準訓練模式	已改善	補償不匹配的DQ-DQS路徑
閱讀訓練模式	用于串行（用戶定義），時鐘和LFSR 生成的訓練模式的專用MR	使讀取時序裕度更穩定
模式寄存器	最多256 x 8位（LPDDR類型讀/寫）	提供擴展空間
PRECHARGE命令	所有銀行，每家銀行和同一家銀行	PREsb在每個BG中啟用預充電特定的存儲庫
刷新命令	所有銀行和同一銀行	REFsb支持刷新每個BG中的特定存儲體
環回模式	是	啟用DQ和DQS信令測試

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