MICRON DDR3 SDRAM
發(fā)布時(shí)間:2021-06-22 17:11:18 瀏覽:1155
MICRON DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外,MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時(shí),具有更高的帶寬。
特征
寬度:x8, x16;
電壓:1.35V,1.5V;
封裝:FBGA;
時(shí)鐘頻率:933 MHz,1066 MHz;
操作溫度:0℃至+95℃、-40℃C至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性?xún)?nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢(xún)合作。
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零件號(hào)
MT41J128M16JT-093
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J128M16JT-107G
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J128M16JT-125
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J256M8DA-125
密度:2Gb
深度:256Mb
寬度:x8
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41J64M16TW-093
密度:1Gb
深度:64Mb
寬度:x16
電壓:1.5V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-107
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-107 AAT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K128M16JT-107 IT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-125 AAT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K128M16JT-125 AIT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125 AUT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +125℃
MT41K128M16JT-125 IT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M16JT-125 M
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M16JT-125 XIT
密度:2Gb
深度:128Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K128M8DA-107
密度:1Gb
深度:128Mb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K128M8DA-107 IT
密度:1Gb
深度:128Mb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K1G8SN-107
密度:8Gb
深度:1Gb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K1G8SN-125
密度:8Gb
深度:1Gb
寬度:x8
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-093
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-107
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:0℃至+95℃
MT41K256M16TW-107 AAT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +105℃
MT41K256M16TW-107 AIT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
MT41K256M16TW-107 AUT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +125℃
MT41K256M16TW-107 IT
密度:4GB
深度:256Mb
寬度:x16
電壓:1.35V
操作溫度:-40℃ 至 +95℃
推薦資訊
vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進(jìn)制 MOS 電容芯片,每片包含五個(gè)以二進(jìn)制增量排列的不同容量電容,提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進(jìn)薄膜技術(shù)制造,經(jīng)過(guò) 100% 電氣測(cè)試和目視檢查,符合 MIL-STD-883 標(biāo)準(zhǔn)。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝,容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF,采用二氧化硅介質(zhì)材料和半導(dǎo)體硅基底,背面鍍金,具有低介質(zhì)損耗。它們?cè)O(shè)計(jì)用于通過(guò)線(xiàn)鍵合技術(shù)調(diào)整混合電路中的電容。
ADI?的ADG841-KG是種具備單極單擲(SPST)開(kāi)關(guān)的低壓CMOS元器件。相對(duì)于邏輯1輸入,ADG841-KGD封閉。
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