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MICRON DDR2 內存

發布時間：2021-07-09 17:01:56 瀏覽：1234

MICRON在技術創新內存和存儲解決方案領域出現全球現實，狀況MICRON方案加快了數據信息智能化的轉換，鼓勵著全球以解決速率學習培訓、溝通交流和進步。MICRON提供世界上最廣泛的技術應用組合，作為當今社會最重要的突發性突破的核心理念，如人工智能技術和自動駕駛汽車。

MICRON DDR2 內存

Width：x8, x16

Voltage：1.8V

Package：FBGA

Clock Rate：400 MHz

Op. Temp：0C to +85C, -40C to +95C, -40C to +105C, -40C to 125C

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MICRON (2).png

功能/選項	DDR2	DDR3	DDR3優勢
電壓（內核和 I/O）	1.8V	1.5V	降低內存系統電源需求
標準低壓選項	不	是 (1.35V)	提供與 1.5V 標準 DDR3 匹配的低電壓 DDR2
密度（生產）	256Mb 至 4Gb	1Gb 至 4Gb	高密度組件以更少的芯片數量實現大內存子系統
預取（MIN WRITE 突發）	4 位	8 位	降低核心速度依賴性以提高產量
t CK - DLL 已啟用	125 兆赫至 400 兆赫	300 兆赫至 800 兆赫	支持更高的數據速率
數據速率（每針 MT/s）	533、667、800 Mb/s	800,1066,1333,1600 Mb/s	遷移到更高的數據帶寬
突發長度 (BL)	BL4、BL8	BC4、BL8	BC4 減輕了一些“BL8”要求
突發類型	固定，通過 LMR	(1) 固定，通過 MRS (2) OTF，“即時”	OTF 允許在沒有 MRS 命令的情況下在 BC4 和 BL8 之間切換
數據選通	差分或單端	僅差速器	通過減少選通串擾提高系統時序裕度
ODT（芯片端接）	R TT : 50, 75, 150 歐姆	R T T : 20,30,40,60,120 歐姆	更多 ODT 選項可提高信號保真度并支持更高的數據速率
動態 ODT	沒有任何	120, 60 歐姆	改進了多個時隙中的信令；點對點應用中的引腳減少
DQ 驅動器阻抗	18 歐姆	34 歐姆	針對 2 插槽和點對點系統進行了優化
驅動器/ODT 校準	沒有任何	外接電阻	提高電壓和溫度范圍內的精度
多用途寄存器 (MPR)	沒有任何	四個寄存器 - 1 個定義 3 個 RFU	支持讀取校準
寫調平	沒有任何	DQS 捕獲 CK，DQ 驅出 CK 的狀態	校正模塊使用的飛越布局
模塊	240 針 SODIMM（無緩沖、寄存、全緩沖） 200 針 SODIMM	240 針 UDIMM；RDIMM、FBDIMM 待定； 204 針 SODIMM	改進的布局、更多的外形和供電設計；DDR3 也采用了 fly-by 架構
芯片組支持	Legacy	最新的	較新的芯片組功能
附加延遲	是的	是的	具有 CAS 延遲的曲目

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