SD11705/SD11707碳化硅MOSFET Solitron Devices
發(fā)布時(shí)間:2023-12-27 09:58:19 瀏覽:1420
Solitron SD11705 和 SD11707 是兩款1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 器件,采用密封的 TO-258 封裝,專為最苛刻的工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用而設(shè)計(jì)。工作溫度范圍為-55°C至175°C,兩款器件均提供50A的連續(xù)漏極電流。SD11705提供 RDS(開)為 32mΩ,而 SD11707 具有 RDS(開)16mΩ。也可根據(jù)要求提供 200°C 工作溫度。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關(guān)性能,并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低,因此效率水平高于硅,從而在接通和關(guān)斷階段產(chǎn)生更高的開關(guān)功率和更少的能量。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。
密封封裝與高溫操作相結(jié)合,使SD11705和SD11707非常適合需要小尺寸、輕量和高效率的最堅(jiān)固的電源和電機(jī)控制應(yīng)用。
SD11705 和 SD11707 提供 COTS、TX、TXV 和空間級(jí)篩選。
關(guān)于SOLITRON DEVICES
Solitron Devices 總部位于美國佛羅里達(dá)州西棕櫚灘,為需要極致性能和可靠性的系統(tǒng)制造功率半導(dǎo)體和集成電源解決方案。航空航天、國防、工業(yè)和航天領(lǐng)域的客戶依靠Solitron的創(chuàng)新產(chǎn)品來開發(fā)更小、更輕、更高效的系統(tǒng)級(jí)電源解決方案。
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Linear Integrated Systems(LIS)推出的LS840、LS841、LS842是低噪聲、低漂移、低電容的單片雙N溝道JFET放大器,專為高性能模擬信號(hào)處理設(shè)計(jì)。其關(guān)鍵特性包括超低噪聲、超低漏電流、低溫度漂移、低偏移電壓、寬溫度工作范圍、高可靠性;電氣性能方面,有特定的最大電壓和電流承受能力、最大功耗,具備高跨導(dǎo)、高共模抑制比、低噪聲系數(shù);提供TO-71、TO-78、P-DIP、SOIC等多種封裝選項(xiàng);適用于音頻放大、精密測量設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理等高精度高可靠性應(yīng)用。
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