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推薦資訊

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  vishay CBB3100BLGKWS薄膜二進制MOS電容芯片 2025-03-18 09:14:46

  vishay CBB 和 CBC 是薄膜二進制 MOS 電容芯片，每片包含五個以二進制增量排列的不同容量電容，提供多種容量選擇。這些芯片采用 Vishay Electro-Films 的先進薄膜技術制造，經過 100% 電氣測試和目視檢查，符合 MIL-STD-883 標準。CBB 和 CBC 分別具有 0402 和 0404 封裝，容量范圍分別為最高 31 pF 和 93 pF，采用二氧化硅介質材料和半導體硅基底，背面鍍金，具有低介質損耗。它們設計用于通過線鍵合技術調整混合電路中的電容。

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優異的動態導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關。IR-HiRel不僅節省了功率，降低了系統的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統的整體效率。